MOSFET关闭状态

当箭头所指位置输入高电平时，可以分析9013的集电极（C）电压。假设输入高电平为3.3V，具体情况如下：

1. 基极电流：箭头输入高电平时，9013的基极通过R2（4.7kΩ）和基极到发射极电压（通常为0.7V）建立基极电流。此时，基极电流约为 ((3.3V - 0.7V) / 4.7kΩ ≈ 0.55mA)。

2. 三极管导通：由于9013的基极电流足够大，三极管进入饱和导通状态。

3. 集电极电压：在饱和状态下，三极管的集电极电压 ( V_{CE(sat)} ) 通常在 0.2V 到 0.3V 之间。因此，在输入高电平时，9013的集电极电压接近于0V（即接地）。

因此，当箭头所指位置输入高电平时，9013的集电极电压应约为 0.2V到0.3V之间，接近于0V。

MOSFET打开状态

当箭头所指位置输入低电平（假设为0V）时，可以分析9013的集电极（C）电压：

1. 基极电流：此时输入为0V，9013的基极没有正向偏置电压，也就是说，基极-发射极电压不足以使三极管导通。

2. 三极管截止：由于没有基极电流流入，9013处于截止状态，不导通。

3. 集电极电压：在9013截止的情况下，其集电极不与发射极导通，因此集电极电压将通过集电极负载电阻（这里没有明确标出具体连接的负载，假设通过拉高到+5V）。在这种情况下，集电极电压将接近于**+5V**。

因此，当箭头所指位置输入低电平时，9013的集电极电压将接近于**+5V**。

方案

如果不要9013，单片机直接连到mosfet，担心3.3V开启不了mosfet。

直接用3.3V驱动MOSFET可能无法完全开启，因为一些MOSFET的开启电压较高。为确保3.3V单片机能可靠地控制MOSFET的导通，您可以考虑以下解决方案：

1. 更换低阈值MOSFET： 使用门极阈值电压更低的逻辑电平MOSFET。例如，IRLZ44N、AO3400或Si2302等，这些MOSFET的开启电压通常在1.5V到2.5V之间，可以在3.3V下可靠开启。

2. 使用MOSFET驱动器： 引入一个MOSFET驱动器芯片，例如TC4420或IRLML6344。这些驱动器可以将单片机的3.3V信号提升到更高的电压，从而完全打开MOSFET。驱动器的输入电压范围一般较宽，可以兼容3.3V的单片机输出。